檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "薄膜".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="銅"
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本研究目的在開發高阻值(≧3 kΩ)以及低TCR值(±25 ppm/℃)之薄膜電阻元件。實驗材料系統可分為氮化鉭(TaN)、共濺鍍氮化鉭與銅複合膜(TaN/Cu)以及氮化氧鈦(TiNO)，三種材料系…
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本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜，並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層，之後再沉積出TaN薄膜當作上電極，製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
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高溫超導體於微電子方面的應用，需作成薄膜的形態，因為它具有異方性的結晶方向 而有較高的臨界電流密度。因此薄膜的制作，便成了高溫超導能否應用在電子元件上 的主要關鍵。而雷射蒸鍍法是一種能快速鍍膜、…